ZXMP7A17KTC厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.829975 +200：￥5.97135 +800：￥4.383225 +2500：￥3.17625 +5000：￥3.017498	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.84456 +10：￥8.2038 +30：￥6.56304 +100：￥5.4692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.862635 +10：￥4.28349 +30：￥3.988454 +100：￥3.704345 +500：￥2.283799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.382127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP7A17KTC VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMP7A17KTC VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.486784 +50：￥2.443993 +500：￥2.358198 +5000：￥2.293905 +30000：￥2.143815	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥4.99925 +5000：￥4.701519	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.978659 +10：￥11.382283 +100：￥8.722957 +500：￥6.895562 +1000：￥5.51645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.978659 +10：￥11.382283 +100：￥8.722957 +500：￥6.895562 +1000：￥5.51645	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.541021 +10：￥11.995429 +100：￥9.191481 +500：￥7.276588 +1000：￥5.826743	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 70 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 635 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.11W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMP7A17KTC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	635 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.11W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）