ZXMN6A07ZTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.470384 +10：￥2.266221 +30：￥2.225384 +100：￥2.102883	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥10.976112 +100：￥8.132832 +200：￥6.27768 +300：￥5.330592 +500：￥4.794768	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.332817 +10：￥2.72089 +30：￥2.414927 +100：￥2.11989 +500：￥1.934127	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -
ZXMN6A07ZTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N沟道 60V 6.7A 下载数据手册未分类	+1：￥1.71334 +10：￥1.376722 +30：￥1.232517 +100：￥1.052496	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN6A07ZTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+5：￥1.327991 +50：￥1.075571 +150：￥0.967391	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.945624	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.712248 +2000：￥1.55177 +5000：￥1.444764 +10000：￥1.391226 +25000：￥1.355557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.958758 +2000：￥2.681454 +5000：￥2.496546 +10000：￥2.404034 +25000：￥2.342399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 1.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.2 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 166 pF 40 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： - 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -
ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.938382 +10：￥6.105776 +100：￥4.678783 +500：￥3.698622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3
ZXMN6A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.938382 +10：￥6.105776 +100：￥4.678783 +500：￥3.698622	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： - 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3

ZXMN6A07ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.2 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	166 pF 40 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W（Ta）
工作温度:	-
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-