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自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.506945 +10：￥5.720392 +100：￥4.388255 +500：￥3.468702 +1000：￥2.774962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.467004 +10：￥9.02156 +100：￥6.244066 +500：￥5.217054 +1000：￥4.440128	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥12.991142 +10：￥11.470229 +100：￥7.937271 +500：￥6.622314 +1000：￥5.640057	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 100V 0.45A 3-Pin E-Line 下载数据手册未分类	+4000：￥4.086713 +12000：￥4.039558	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A DIODES(美台) 授权代理品牌	N-Channel 100 V 1.5 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Vertical DMOS FET-TO-92 下载数据手册未分类	+4000：￥2.569229	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210A DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 450 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, ZVN4210A 下载数据手册未分类	+5：￥6.259528 +1000：￥6.071307	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ZVN4210A DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 450 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, ZVN4210A 下载数据手册未分类	+1000：￥6.071307	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN4210A参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	450mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）