ZVP2110ASTZ厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZVP2110ASTZ 共 7 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.28318 +200：￥2.513272 +500：￥2.425854 +1000：￥2.382145	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.604991 +6000：￥2.480895 +10000：￥2.366446	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.509535 +6000：￥4.294712 +10000：￥4.096586	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE 下载数据手册未分类	+2000：￥5.94107	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 8 欧姆 375mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2110ASTZ 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 0.23A 3-Pin E-Line Box 下载数据手册未分类	+2000：￥7.608713 +4000：￥7.532984 +6000：￥7.457255 +8000：￥7.382903 +10000：￥7.308551	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP2110ASTZ参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	带盒（TB）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8 欧姆 375mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳:	E-Line-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）