ZXMP6A13GTA厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13GTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMP6A13GTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥2.090274 +1000：￥1.983083 +7500：￥1.929435 +10000：￥1.875891 +12500：￥1.804431	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.405354 +2000：￥2.17985	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.156444 +2000：￥3.766774	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.723528 +10：￥8.568859 +100：￥6.57189 +500：￥5.195525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.723528 +10：￥8.568859 +100：￥6.57189 +500：￥5.195525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥11.019588 +10：￥9.724787 +100：￥7.451997 +500：￥5.895479 +1000：￥4.697099	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 900mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 5.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 219 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP6A13GTA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥3.533958 +2000：￥3.289017 +5000：￥3.218287 +10000：￥3.152794 +25000：￥3.085992	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP6A13GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	390 毫欧 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	5.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	219 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）