搜索 ZXMN10B08E6TA 共 9 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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ZXMN10B08E6TA 授权代理品牌 | MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26 | +1: ¥0.789399 +10: ¥0.770599 +30: ¥0.757995 +100: ¥0.745496 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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ZXMN10B08E6TA 授权代理品牌 | +10: ¥1.045454 +150: ¥1.005296 +6000: ¥0.884615 +21000: ¥0.868488 +42000: ¥0.804194 | 暂无参数 | |||
ZXMN10B08E6TA 授权代理品牌 | +1: ¥3.023792 +30: ¥2.285894 +100: ¥2.041579 +500: ¥1.982134 +1500: ¥1.943242 | ||||
ZXMN10B08E6TA 授权代理品牌 | +1: ¥2.916058 +100: ¥2.3303 +750: ¥2.088356 +1500: ¥1.973751 +3000: ¥1.87188 |
自营 国内现货
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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ZXMN10B08E6TA 授权代理品牌 | +1: ¥12.046389 +10: ¥10.429637 +100: ¥7.227834 +500: ¥6.039046 +1000: ¥5.151418 |
ZXMN10B08E6TA参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.3V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 230 毫欧 1.6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.2 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 497 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.1W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-26 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |