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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.816513 +10：￥1.67677 +30：￥1.648831 +100：￥1.56499	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.54472 +100：￥4.108176 +200：￥3.171312 +300：￥2.712096 +500：￥2.495088	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.45684	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.60717 +500：￥1.453422 +1000：￥1.314691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.46509 +3000：￥1.428463 +5000：￥1.404045 +7000：￥1.391836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.401344 +300：￥1.366013 +500：￥1.34246 +700：￥1.34246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.918228 +25：￥0.895308 +50：￥0.872271 +100：￥0.849349 +150：￥0.834069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN10A07ZTA UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.526395 +1000：￥0.492685 +2000：￥0.451628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN10A07ZTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.939775 +1000：￥0.900663 +3000：￥0.861443 +27000：￥0.798885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.641404 +2000：￥1.467291 +5000：￥1.392682 +10000：￥1.293179 +25000：￥1.263379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZXMN10A07ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	700 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.9 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	138 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.60717 +500：￥1.453422 +1000：￥1.314691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥1.46509 +3000：￥1.428463 +5000：￥1.404045 +7000：￥1.391836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥1.401344 +300：￥1.366013 +500：￥1.34246 +700：￥1.34246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 700 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 138 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMN10A07ZTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+5：￥0.918228 +25：￥0.895308 +50：￥0.872271 +100：￥0.849349 +150：￥0.834069	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN10A07ZTA UDU SEMICONDUTOR 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA UDU SEMICONDUTOR 下载数据手册未分类	+500：￥0.526395 +1000：￥0.492685 +2000：￥0.451628	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZXMN10A07ZTA VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	ZXMN10A07ZTA VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.939775 +1000：￥0.900663 +3000：￥0.861443 +27000：￥0.798885	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数