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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.474562 +200：￥2.11989 +500：￥2.043399 +1000：￥2.010618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.38232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥4.116641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.706823 +10：￥8.487551 +100：￥6.50949 +500：￥5.1458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223
ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.706823 +10：￥8.487551 +100：￥6.50949 +500：￥5.1458	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2120GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223 下载数据手册未分类	+1：￥10.06805 +10：￥8.911585 +100：￥6.829948 +500：￥5.401373 +1000：￥4.312935	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 25 欧姆 150mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP2120GTA 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 200V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥9.77958 +10：￥8.567341 +25：￥8.484398 +100：￥6.479738 +250：￥6.415936	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVP2120GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	25 欧姆 150mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）