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ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
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￥2.202282

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￥1.813162

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￥1.646303

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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ZXMP3F30FHTA_晶体管-FET，MOSFET-单个
ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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￥1.017668

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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ZXMP3F30FHTA
授权代理品牌

ZXMP3F30FHTA VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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￥0.381322

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￥0.371945

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￥0.362568

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￥0.356318

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￥0.345898

库存： 1000 +

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ZXMP3F30FHTA_未分类
ZXMP3F30FHTA
授权代理品牌

ZXMP3F30FHTA VBSEMI/微碧半导体

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未分类
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￥0.423691

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￥0.413156

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￥0.388383

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库存： 1000 +

国内：1~2 天

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ZXMP3F30FHTA_晶体管-FET，MOSFET-单个
ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌
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库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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Diodes Incorporated(美台)
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￥1.253266

库存： 1000 +

国内：1~2 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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ZXMP3F30FHTA_晶体管-FET，MOSFET-单个
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￥2.16564

库存： 0

货期：7~10 天

品牌： Diodes Incorporated

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 80 毫欧 2.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 370 pF 15 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23-3

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： -55°C # 150°C（TJ）

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MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

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￥1.922417

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货期：7~10 天

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 2.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 950mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 15 V

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ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

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未分类
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￥5.648629

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￥4.870374

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￥3.389178

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￥2.645819

+1000：

￥2.150497

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 2.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 950mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 15 V

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ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated(美台)
授权代理品牌

MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23

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未分类
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￥5.648629

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￥4.870374

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￥3.389178

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￥2.645819

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￥2.150497

库存： 0

货期：7~10 天

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 2.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 80mOhm @ 2.5A, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 950mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1V @ 250µA

Supplier Device Package： SOT-23-3

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs： 7 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 370 pF @ 15 V

ZXMP3F30FHTA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 卷带（TR）
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 80 毫欧 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7 nC 10 V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 370 pF 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 950mW（Ta）
工作温度: -55°C # 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度: -55°C # 150°C（TJ）