ZVN4310A厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 ZVN4310A 共 10 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥10.490179 +10：￥8.938507 +30：￥8.08618 +100：￥7.12458 +500：￥6.698417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.967785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.620834 +100：￥7.181906 +1000：￥6.647083 +2000：￥6.328736 +4000：￥6.023123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+7：￥12.868416 +100：￥10.720512 +1000：￥9.922176 +2000：￥9.446976 +4000：￥8.990784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.479987 +10：￥9.37054 +100：￥7.286205 +500：￥6.17609 +1000：￥5.031105	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.83738 +10：￥16.192262 +100：￥12.590538 +500：￥10.672264 +1000：￥8.693732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥25.221607 +10：￥20.650191 +100：￥16.078774 +500：￥13.462033 +1000：￥10.671894	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 900mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 500 毫欧 3A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 850mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 8 下载数据手册未分类	+1：￥14.261666 +10：￥12.745978 +25：￥12.621515 +100：￥9.845519 +250：￥9.746871	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4310A DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 900 mA, E-Line封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+1000：￥12.802057 +2000：￥12.418179	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ZVN4310A DIODES(美台) 授权代理品牌	DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 900 mA, E-Line封装, 通孔安装, 3引脚下载数据手册未分类	+5：￥13.197296 +1000：￥12.802057 +2000：￥12.418179	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZVN4310A参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	500 毫欧 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	850mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）