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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ZHB6792TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

双极晶体管预偏置

+70:

¥1.377594

+100:

¥1.262754

+300:

¥1.262754

+500:

¥1.262754

+1000:

¥1.147995

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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ZHB6792TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

双极晶体管预偏置

+70:

¥2.380478

+100:

¥2.182033

+300:

¥2.182033

+500:

¥2.182033

+1000:

¥1.983732

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZHB6792TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

双极晶体管预偏置

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¥2.380478

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¥2.182033

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¥2.182033

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¥2.182033

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing

供应商器件封装: SM-8

ZHB6792TA_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

双极晶体管预偏置

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¥2.380478

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¥2.182033

+300:

¥2.182033

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¥2.182033

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 8-SMD, Gull Wing

供应商器件封装: SM-8

Mouser
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ZHB6792TA_晶体管
ZHB6792TA
授权代理品牌

TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223

晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A

电压 - 集射极击穿(最大值): 70V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V

功率 - 最大值: 1.25W

频率 - 跃迁: 100MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-223-8

供应商器件封装: SM8

温度: -55°C # 150°C(TJ)

ZHB6792TA参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 个 NPN + 2 个 PNP(H 桥)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1A
电压 - 集射极击穿(最大值): 70V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 750mV 50mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 100mA,2V
功率 - 最大值: 1.25W
频率 - 跃迁: 100MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-223-8
供应商器件封装: SM8
温度: -55°C # 150°C(TJ)