搜索 ZXMN10A08E6TA 共 20 条相关记录
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +3000: ¥40.602541 | ||||
ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +10: ¥0.924877 +500: ¥0.908751 +9000: ¥0.884615 +21000: ¥0.868488 +42000: ¥0.804194 | 暂无参数 | |||
ZXMN10A08E6TA | +20: ¥0.984329 +100: ¥0.95122 +500: ¥0.916839 | 暂无参数 | |||
ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +3000: ¥1.54103 | ||||
ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +1: ¥2.269177 +100: ¥1.820945 +750: ¥1.610835 +1500: ¥1.526791 +3000: ¥1.456755 | ||||
ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +3000: ¥1.78008 +9000: ¥1.750445 +15000: ¥1.720694 +30000: ¥1.691059 | ||||
ZXMN10A08E6TA 授权代理品牌 | +50: ¥0.731388 +3000: ¥0.718654 +9000: ¥0.699553 +15000: ¥0.680453 +45000: ¥0.654985 | 暂无参数 |
ZXMN10A08E6TA参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 250 毫欧 3.2A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 7.7 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 405 pF 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.1W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-26 |
封装/外壳: | SOT-23-6 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |