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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310FTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	N沟道 MOSFETs VDS=100V ID=3.5A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥0.463062 +30：￥0.446524 +100：￥0.413438 +500：￥0.380363 +1000：￥0.363825	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.2022 +100：￥1.647052 +800：￥1.276913 +3000：￥0.925287 +15000：￥0.832722	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.86839 +50：￥0.764581 +150：￥0.74819 +500：￥0.723604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.779305	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.412766 +200：￥1.084 +1500：￥0.942654 +3000：￥0.818904 +45000：￥0.812653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.093724 +6000：￥1.066173 +9000：￥1.047767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.093724 +9000：￥1.066173 +30000：￥1.047767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZVN3310FTA TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.44476 +9000：￥0.432952 +30000：￥0.42508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZVN3310FTA 授权代理品牌	ZVN3310FTA VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.352844 +100：￥0.344046 +300：￥0.323441 +3000：￥0.317537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.368506 +6000：￥1.296491 +9000：￥1.200471 +30000：￥1.188557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVN3310FTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	40 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	330mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.412766 +200：￥1.084 +1500：￥0.942654 +3000：￥0.818904 +45000：￥0.812653	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.093724 +6000：￥1.066173 +9000：￥1.047767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V .1A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.093724 +9000：￥1.066173 +30000：￥1.047767	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 330mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310FTA TECH PUBLIC(台舟电子) 授权代理品牌	ZVN3310FTA TECH PUBLIC/台湾台舟电子下载数据手册未分类	+3000：￥0.44476 +9000：￥0.432952 +30000：￥0.42508	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
ZVN3310FTA 授权代理品牌	ZVN3310FTA VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+40：￥0.352844 +100：￥0.344046 +300：￥0.323441 +3000：￥0.317537	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数