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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥2.03687	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.982724	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE 下载数据手册未分类	+1：￥12.001574 +10：￥10.344214 +100：￥7.15951 +500：￥5.981928 +1000：￥5.091097	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Cut Tape (CT) Package / Case： E-Line-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5Ohm @ 1.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 1mA Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 100 pF @ 25 V
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE 下载数据手册未分类	+2000：￥4.534309 +6000：￥4.295565 +10000：￥3.97738	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Tape & Box (TB) Package / Case： E-Line-3 Mounting Type： Through Hole Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ) Technology： MOSFET (Metal Oxide) FET Type： N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs： 1.5Ohm @ 1.5A, 10V FET Feature： - Power Dissipation (Max)： 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id： 2.4V @ 1mA Supplier Device Package： E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 5V, 10V Vgs (Max)： ±20V Drain to Source Voltage (Vdss)： 100 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 100 pF @ 25 V

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥13.882931 +10：￥11.955654 +100：￥8.28076 +500：￥6.925134 +1000：￥5.896163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：带盒（TB）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 450mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.5 欧姆 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： E-Line（TO-92 兼容）封装/外壳： E-Line-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVN4210ASTZ参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	带盒（TB）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	450mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.5 欧姆 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳:	E-Line-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）