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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册	+1：￥14.478633 +10：￥14.161742 +30：￥13.954124	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.444123 +100：￥3.552752 +1000：￥3.298074 +15000：￥3.28534 +30000：￥3.272606	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥6.633792 +100：￥5.303232 +1000：￥4.923072	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥7.671755 +2000：￥7.222049 +5000：￥6.878083 +10000：￥6.560737	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.416014 +10：￥14.281133 +100：￥11.111418 +500：￥9.417835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP
ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.416014 +10：￥14.281133 +100：￥11.111418 +500：￥9.417835	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118#, 3.00mm Width) 供应商器件封装： 8-MSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-MSOP 下载数据手册晶体管	+1：￥15.816455 +10：￥13.507254 +100：￥11.324582 +500：￥10.185798 +1000：￥8.651603	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.7V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 2.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 700mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 900 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-MSOP 封装/外壳： 8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 8-Pin MSOP T/R 下载数据手册未分类	+1000：￥8.687981	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA DIODES(美台) 授权代理品牌	Days to ship 9 下载数据手册未分类	+10：￥5.177124 +25：￥5.125279 +100：￥4.798467 +250：￥4.708665 +500：￥4.110593	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXM64P02XTA DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1000：￥5.288425 +2000：￥5.146773 +3000：￥5.099555 +5000：￥5.005117 +10000：￥4.863463	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXM64P02XTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 2.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	700mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	900 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.1W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-MSOP
封装/外壳:	8-TSSOP，8-MSOP（0.118，3.00mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）