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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥7.989025 +100：￥5.40265 +500：￥3.965775 +1000：￥2.87375 +2000：￥2.730123	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.933817 +10：￥3.157981 +30：￥2.819236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.250038 +500：￥2.065388 +1000：￥1.89619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.70644 +50：￥3.621514 +1000：￥3.025569 +20000：￥3.010288 +30000：￥2.979727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4525ZTA 授权代理品牌	ZVP4525ZTA ZETEX 下载数据手册未分类	+1：￥0.769242 +25：￥0.646302 +100：￥0.547557 +1000：￥0.472196 +2000：￥0.434341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525ZTA 授权代理品牌	ZVP4525ZTA null 下载数据手册未分类	+1：￥0.836352	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.279342 +2000：￥2.030066 +5000：￥1.923242 +10000：￥1.780733 +25000：￥1.763153	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.88049 +2000：￥5.387415 +3000：￥5.136058 +5000：￥4.853645 +7000：￥4.686432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.888226 +10：￥12.529583 +100：￥8.287272 +500：￥6.466734	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-243AA 供应商器件封装： SOT-89-3

ZVP4525ZTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	205mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.45 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	73 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-89-3
封装/外壳:	TO-243AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.250038 +500：￥2.065388 +1000：￥1.89619	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4525ZTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 250V 0.205A SOT-89 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.70644 +50：￥3.621514 +1000：￥3.025569 +20000：￥3.010288 +30000：￥2.979727	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 205mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.45 nC 10 V Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 73 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-89-3 封装/外壳： TO-243AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVP4525ZTA 授权代理品牌	ZVP4525ZTA ZETEX 下载数据手册未分类	+1：￥0.769242 +25：￥0.646302 +100：￥0.547557 +1000：￥0.472196 +2000：￥0.434341	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数