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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.830329 +200：￥5.108378 +800：￥3.960451 +2500：￥2.869878 +12500：￥2.582866	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.299726 +10：￥4.414617 +30：￥3.966599 +100：￥3.529508 +500：￥3.267254	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.02984 +100：￥2.846162	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.302121 +5000：￥2.192493 +12500：￥2.091275 +25000：￥2.087304	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.631597 +5000：￥5.363419 +12500：￥5.115814 +25000：￥5.106098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.573208 +10：￥11.144318 +100：￥8.663994 +500：￥7.34382 +1000：￥5.982213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥13.573208 +10：￥11.144318 +100：￥8.663994 +500：￥7.34382 +1000：￥5.982213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 3A DPAK 下载数据手册未分类	+1：￥14.372916 +10：￥11.841323 +100：￥9.391395 +500：￥8.035768 +1000：￥6.680141	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 235 毫欧 2.1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 717 pF 50 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.15W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZXMP10A16KTC 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 4.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥5.669765 +5000：￥5.425614 +10000：￥5.377068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	ZXMP10A16KTC Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+1：￥8.872651 +10：￥8.050589 +25：￥8.008471 +100：￥7.0351 +250：￥6.964906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ZXMP10A16KTC参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	235 毫欧 2.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	717 pF 50 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.15W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）