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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.853803 +300：￥4.634905 +1000：￥3.402278 +4000：￥2.465375 +8000：￥2.342076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.247481 +10：￥6.872921 +30：￥5.49824 +100：￥4.581907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥4.655017 +10：￥3.879181 +30：￥3.485799 +100：￥3.103345 +500：￥2.862945	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.407658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

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ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.408473 +10：￥2.24795 +30：￥1.983505 +100：￥1.774709 +500：￥1.685963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.92801 +100：￥3.934768 +1000：￥3.51455 +2000：￥3.30444 +4000：￥3.151634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.41215 +10：￥4.756995 +100：￥3.644941 +500：￥2.88143 +1000：￥2.305121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.145649 +10：￥10.127697 +100：￥7.006775 +500：￥5.5993 +1000：￥5.137129	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥9.783907 +10：￥7.329639 +100：￥5.754265 +500：￥5.074365 +1000：￥4.792457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

ZVN3310A参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	40 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	625mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.408473 +10：￥2.24795 +30：￥1.983505 +100：￥1.774709 +500：￥1.685963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）
ZVN3310A Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.92801 +100：￥3.934768 +1000：￥3.51455 +2000：￥3.30444 +4000：￥3.151634	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 40 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 625mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）