品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： PNP

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 3 A

电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 50mA，3A

电流 - 集电极截止（最大值）： 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 300 100mA，2V

功率 - 最大值： 1.1 W

频率 - 跃迁： 110MHz

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOT-23-6

供应商器件封装： SOT-23-6

温度： -55°C # 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： SOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 50mA, 3A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 300 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 110MHz

Supplier Device Package： SOT-23-6

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 12 V

Power - Max： 1.1 W

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： SOT-23-6

Mounting Type： Surface Mount

Transistor Type： PNP

Operating Temperature： -55°C ~ 150°C (TJ)

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic： 300mV @ 50mA, 3A

Current - Collector Cutoff (Max)： 100nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce： 300 @ 100mA, 2V

Frequency - Transition： 110MHz

Supplier Device Package： SOT-23-6

Current - Collector (Ic) (Max)： 3 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)： 12 V

Power - Max： 1.1 W