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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.559333 +10：￥3.285538 +30：￥3.230778 +100：￥3.066505	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥5.55027 +100：￥3.75342 +500：￥2.75517 +1000：￥1.9965 +2000：￥1.896675	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.314472 +10：￥4.54776 +30：￥4.169655 +100：￥3.791551 +500：￥3.570989	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.780152	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.565485 +50：￥2.750517 +1000：￥2.292098 +20000：￥2.279364 +30000：￥2.279364	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.740475	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥5.51232 +50：￥4.257792 +1000：￥3.535488	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥2.974069 +2000：￥2.799701 +5000：￥2.666393 +10000：￥2.616158	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥7.27536 +2000：￥6.848808 +5000：￥6.522704 +10000：￥6.399817	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 240 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 480mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 9 欧姆 200mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±40V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-223-3 封装/外壳： TO-261-4，TO-261AA 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	ZVP4424GTA Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 240V 480MA SOT223 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.560587 +10：￥13.542535 +100：￥10.536866 +500：￥8.930953	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-261-4, TO-261AA 供应商器件封装： SOT-223

ZVP4424GTA参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	240 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	480mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	9 欧姆 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±40V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.5W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-223-3
封装/外壳:	TO-261-4，TO-261AA
温度:	-55°C # 150°C（TJ）