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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XN0NE9200L Panasonic(松下) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.272563 +200：￥1.704654 +500：￥1.650018 +1000：￥1.617236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Panasonic Electronic Components 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 800mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：迷你型5-G1 封装/外壳： SC-74A，SOT-753 温度： 125°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XN0NE9200L Panasonic(松下) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Panasonic Electronic Components 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 800mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：迷你型5-G1 封装/外壳： SC-74A，SOT-753 温度： 125°C（TJ）

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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XN0NE9200L Panasonic(松下) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Panasonic Electronic Components 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 450 毫欧 800mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±15V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： - FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 125°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装：迷你型5-G1 封装/外壳： SC-74A，SOT-753 温度： 125°C（TJ）
XN0NE9200L Panasonic(松下) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74A, SOT-753 供应商器件封装： Mini5-G1
XN0NE9200L Panasonic(松下) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 125°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-74A, SOT-753 供应商器件封装： Mini5-G1

XN0NE9200L参数规格

属性	参数值
品牌:	Panasonic Electronic Components
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	450 毫欧 800mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	-
FET 功能:	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）:	600mW（Ta）
工作温度:	125°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	迷你型5-G1
封装/外壳:	SC-74A，SOT-753
温度:	125°C（TJ）