XP263N1001TR-G厂家价格_数据手册

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	XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.563435 +6000：￥0.53216 +15000：￥0.485167 +30000：￥0.453893 +75000：￥0.406899	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.378312 +6000：￥1.301805 +15000：￥1.186847 +30000：￥1.11034 +75000：￥0.995383	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.231903 +10：￥4.667297 +100：￥2.909105 +500：￥1.991027 +1000：￥1.531457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.231903 +10：￥4.667297 +100：￥2.909105 +500：￥1.991027 +1000：￥1.531457	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP263N1001TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 1A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥7.849868 +10：￥5.75657 +100：￥3.597857 +500：￥2.518499 +1000：￥1.946114	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.6 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

XP263N1001TR-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.6 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）