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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
XP151A12A2MR-G_晶体管-FET,MOSFET-单个
+3000:

¥1.825239

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Torex Semiconductor Ltd

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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XP151A12A2MR-G_晶体管-FET,MOSFET-单个
+3000:

¥3.154008

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Torex Semiconductor Ltd

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: 150°C(TJ)

Mouser
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XP151A12A2MR-G_未分类
XP151A12A2MR-G

MOSFET N-CH 20V 1A SOT23

未分类

+1:

¥9.523831

+10:

¥8.340155

+100:

¥6.394573

+250:

¥5.931986

+500:

¥5.047631

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Torex Semiconductor Ltd

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

Vgs(最大值): ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF 10 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 500mW(Ta)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: SOT-23

封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

温度: 150°C(TJ)

XP151A12A2MR-G参数规格

属性 参数值
品牌: Torex Semiconductor Ltd
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 100 毫欧 500mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
温度: 150°C(TJ)