品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TA）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TA）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TA)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： P-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 700mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 300mOhm @ 400mA, 4.5V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： 1.2V @ 1mA

Supplier Device Package： SOT-23

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 2.5V, 4.5V

Vgs (Max)： ±12V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 20 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 180 pF @ 10 V