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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.883348 +30：￥0.853098 +100：￥0.822836 +500：￥0.762336 +1000：￥0.732086	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
	XP152A12C0MR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	MOSFET SOT23-3 P-Channel ID=4.5A 下载数据手册未分类	+1：￥0.244698	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.275789 +10：￥1.053547 +30：￥0.958285 +100：￥0.839392 +500：￥0.786458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
XP152A12C0MR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	P沟道 20V 400mA 下载数据手册未分类	+5：￥0.516249 +50：￥0.412481 +150：￥0.360597 +500：￥0.321684 +2500：￥0.290553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
XP152A12C0MR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	XP152A12C0MR 下载数据手册未分类	+5：￥0.422394 +50：￥0.337111 +150：￥0.294469 +500：￥0.262487 +2500：￥0.236902	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.055362	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册未分类	+3000：￥0.715238	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
	XP152A12C0MR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	XP152A12C0MR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.278148 +150：￥0.267503 +15000：￥0.235356 +75000：￥0.231036 +150000：￥0.21396	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.840993 +6000：￥1.744073 +9000：￥1.614918 +30000：￥1.598909	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A12C0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.181231 +6000：￥3.013752 +9000：￥2.790572 +30000：￥2.76291	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 300 毫欧 400mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 180 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

XP152A12C0MR参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	300 毫欧 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	180 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）