XP152A11E5MR-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 XP152A11E5MR-G 共 4 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.431163 +200：￥1.376836 +500：￥1.3222 +1000：￥1.300345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.56417	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.70288	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP152A11E5MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 700MA SOT23 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 700mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 250 毫欧 400mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 160 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

XP152A11E5MR-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	700mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	250 毫欧 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	160 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）