品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 120mOhm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： SOT-23

Grade： -

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 150 pF @ 10 V

Qualification： -

Packaging： Cut Tape (CT)

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 120mOhm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： SOT-23

Grade： -

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 150 pF @ 10 V

Qualification： -

Packaging： Digi-Reel®

Package / Case： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： 150°C (TJ)

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 120mOhm @ 500mA, 10V

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： 500mW (Ta)

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： SOT-23

Grade： -

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： 4.5V, 10V

Vgs (Max)： ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss)： 30 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds： 150 pF @ 10 V

Qualification： -

品牌： Torex Semiconductor Ltd

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 500mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 150 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）

工作温度： 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： SOT-23

封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

温度： 150°C（TJ）