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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.931083 +10：￥0.896598 +100：￥0.793143 +500：￥0.772452	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.107742 +10：￥1.013426 +30：￥0.998512 +100：￥0.97614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
	XP151A13A0MR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	XP151A13A0MR 下载数据手册未分类	+5：￥0.424854 +50：￥0.379272 +150：￥0.372079 +500：￥0.320938	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.726927 +6000：￥0.714394 +9000：￥0.70186	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
XP151A13A0MR VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	XP151A13A0MR VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.250017 +3000：￥0.239644 +9000：￥0.229164 +102000：￥0.212524	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
XP151A13A0MR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	XP151A13A0MR JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.316139 +6000：￥0.310414 +9000：￥0.30177 +78000：￥0.293126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
XP151A13A0MR JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	XP151A13A0MR JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+3000：￥0.316139 +6000：￥0.310414 +9000：￥0.30177 +72000：￥0.293126	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.564443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	XP151A13A0MR Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 1A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.703352	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 220 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

XP151A13A0MR参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	220 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）