XP202A0003MR-G厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 XP202A0003MR-G 共 4 条相关记录

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.824235 +200：￥2.327509 +500：￥2.251018 +1000：￥2.207309	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W 工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.544881	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W 工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.397546	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W 工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP202A0003MR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3A SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥13.333364 +10：￥11.619074 +100：￥8.911585 +250：￥8.272128 +500：￥7.047635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 5A（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 45 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.6V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 435 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W 工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C

XP202A0003MR-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	5A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	45 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.6V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	435 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W
工作温度:	150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C