XP264N0301TR-G厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.694153 +6000：￥0.643896 +9000：￥0.533926 +30000：￥0.524596 +75000：￥0.471104	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP264N0301TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET 下载数据手册晶体管	+1：￥5.693925 +10：￥3.606153 +100：￥2.27757 +1000：￥1.217867 +3000：￥0.806641	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP264N0301TR-G TOREX(特瑞仕) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 0.3A, TO-236 下载数据手册未分类	+5：￥2.67938 +100：￥1.42302 +500：￥1.026884 +1000：￥0.725613 +3000：￥0.517929	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP264N0301TR-G TOREX(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 0.3A, TO-236 下载数据手册未分类	+5：￥2.712872 +100：￥1.443762 +500：￥0.986178 +1000：￥0.689278	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

XP264N0301TR-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.72 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）