XP262N7002TR-G厂家价格_数据手册

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.601189 +200：￥0.239879 +500：￥0.231863 +1000：￥0.227903	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册未分类	+1000：￥0.655591 +3000：￥0.504318 +9000：￥0.433709 +24000：￥0.403432 +45000：￥0.353045	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.385362 +6000：￥0.357451 +9000：￥0.296449 +30000：￥0.291197 +75000：￥0.26156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.665903 +6000：￥0.617674 +9000：￥0.512262 +30000：￥0.503189 +75000：￥0.451974	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.977762 +10：￥2.722282 +100：￥1.326336 +500：￥1.105818 +1000：￥0.76833	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.977762 +10：￥2.722282 +100：￥1.326336 +500：￥1.105818 +1000：￥0.76833	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	XP262N7002TR-G Torex Semiconductor Ltd(特瑞仕) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥5.071461 +10：￥3.470782 +100：￥1.4105 +1000：￥0.982596 +3000：￥0.776568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Torex Semiconductor Ltd 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.6欧姆 100mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.72 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 30 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 400mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

XP262N7002TR-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Torex Semiconductor Ltd
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.6欧姆 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.72 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	30 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	400mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）