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WNSC101200Q_未分类
WNSC101200Q
授权代理品牌

碳化硅二极管 WNSC101200Q TO-220-2

未分类

+1:

¥26.695141

+10:

¥17.79668

+50:

¥14.830607

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 现货库存
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WNSC101200Q
授权代理品牌

"1.2kV 10A 1.4V@10A"

+1:

¥42.595137

+10:

¥38.086312

+30:

¥37.375507

+100:

¥36.314607

库存: 1000 +

国内:1~2 天

二极管配置: 独立式

直流反向耐压(Vr): 1.2kV

平均整流电流(Io): 10A

正向压降(Vf): 1.4V@10A

反向电流(Ir): -

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WNSC101200Q
授权代理品牌
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¥38.526642

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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自营 国内现货
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WNSC101200Q_二极管整流器

SILICON CARBIDE POWER DIODE

二极管整流器

+1:

¥25.7175

+10:

¥22.0185

+30:

¥21.33675

+100:

¥20.655

+500:

¥20.358

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 10 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 510pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Digi-Key
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WNSC101200Q_二极管整流器

SILICON CARBIDE POWER DIODE

二极管整流器

+1:

¥62.911819

+10:

¥53.863085

+30:

¥52.195344

+100:

¥50.527603

+500:

¥49.801062

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 10 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 510pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

Mouser
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WNSC101200Q_二极管与整流器
WNSC101200Q

SILICON CARBIDE POWER DIODE

二极管与整流器

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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: WeEn Semiconductors

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 碳化硅肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V

电流 - 平均整流 (Io): 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 10 A

速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 0 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 1200 V

不同 Vr、F 时电容: 510pF 1V,1MHz

安装类型: 通孔

封装/外壳: TO-220-2

供应商器件封装: TO-220AC

工作温度 - 结: 175°C(最大)

温度:

WNSC101200Q参数规格

属性 参数值
品牌: WeEn Semiconductors
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 碳化硅肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1200 V
电流 - 平均整流 (Io): 10A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.6 V 10 A
速度: 无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 110 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容: 510pF 1V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2
供应商器件封装: TO-220AC
工作温度 - 结: 175°C(最大)
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