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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T1T2R_null
VT6T1T2R
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

+1:

¥1.510509

+200:

¥0.584556

+500:

¥0.564081

+1000:

¥0.553896

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T1T2R_null
VT6T1T2R
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

+1:

¥4.558896

+100:

¥2.584944

+1000:

¥1.323504

+4000:

¥0.897264

+8000:

¥0.678384

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T1T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+8000:

¥0.641685

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T1T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+8000:

¥1.108829

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

VT6T1T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

+1:

¥0

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: VMT6

VT6T1T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

双极晶体管预偏置

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: VMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T1T2R_晶体管
VT6T1T2R
授权代理品牌

PNP+PNP GENERAL PURPOSE AMPLIFIC

晶体管

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 20V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 350MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

VT6T1T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 10mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 350MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: VMT6
温度: 150°C(TJ)