锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

搜索 VT6T12T2R5 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T12T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

双极晶体管预偏置

+8000:

¥0.741445

+16000:

¥0.667315

+24000:

¥0.657382

+56000:

¥0.617871

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T12T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

双极晶体管预偏置

+8000:

¥1.281215

+16000:

¥1.153118

+24000:

¥1.135955

+56000:

¥1.067678

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

VT6T12T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

双极晶体管预偏置

+1:

¥4.974622

+10:

¥3.842896

+100:

¥2.305738

+500:

¥2.135357

+1000:

¥1.452094

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: VMT6

VT6T12T2R_双极晶体管预偏置
授权代理品牌

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

双极晶体管预偏置

+1:

¥4.974622

+10:

¥3.842896

+100:

¥2.305738

+500:

¥2.135357

+1000:

¥1.452094

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度: 150°C (TJ)

封装/外壳: 6-SMD, Flat Leads

供应商器件封装: VMT6

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VT6T12T2R_晶体管
VT6T12T2R
授权代理品牌

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN

晶体管

+1:

¥6.324825

+10:

¥4.885928

+100:

¥2.719675

+1000:

¥1.707703

+2500:

¥1.660266

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: 2 PNP(双)

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V

功率 - 最大值: 150mW

频率 - 跃迁: 300MHz

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 6-SMD,扁平引线

供应商器件封装: VMT6

温度: 150°C(TJ)

VT6T12T2R参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP(双)
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 120 1mA,6V
功率 - 最大值: 150mW
频率 - 跃迁: 300MHz
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: VMT6
温度: 150°C(TJ)