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Digi-Key
| 图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格（含税） | 库存 | 关键参数 |
|---|---|---|---|---|---|
 | 授权代理品牌 | 1+: |
VS-ETF150Y65U参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 托盘 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | 沟道 |
| 配置: | 三级反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 142 A |
| 功率 - 最大值: | 417 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.06V 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 6.6 nF 30 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | EMIPAK-2B |
| 供应商器件封装: | EMIPAK-2B |
| 温度: | 175°C（TJ） |