品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 停产

电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

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电压 - 齐纳（标称值）(Vz)： 5.1 V

容差： ±2%

功率 - 最大值： 100 mW

阻抗（最大值）(Zzt)： 80 Ohms

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 1.5 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： -

工作温度： -55°C # 150°C

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： SOD-723

供应商器件封装： VMD2

温度： -55°C # 150°C