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VS-GB75TP120N参数规格
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
包装: | 散装 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 停产 |
IGBT 类型: | - |
配置: | 半桥 |
电压 - 集射极击穿(最大值): | 1200 V |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 150 A |
功率 - 最大值: | 543 W |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): | 2.35V 15V,75A |
电流 - 集电极截止(最大值): | 5 mA |
不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 5.52 nF 25 V |
输入: | 标准 |
NTC 热敏电阻: | 无 |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
封装/外壳: | INT-A-PAK(3 + 4) |
供应商器件封装: | INT-A-PAK |
温度: | 150°C(TJ) |