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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-GA200SA60SP_晶体管IGBT
VS-GA200SA60SP
授权代理品牌

IGBT MODULE 600V 781W SOT227

晶体管IGBT

+1:

¥643.795383

+10:

¥435.372399

+100:

¥319.581812

+180:

¥231.581053

+360:

¥220.001958

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

功率 - 最大值: 781 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.3V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 16.25 nF 30 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-GA200SA60SP_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MODULE 600V 781W SOT227

晶体管IGBT

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: -

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -

功率 - 最大值: 781 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.3V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 16.25 nF 30 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -55°C # 150°C(TJ)

VS-GA200SA60SP参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): -
功率 - 最大值: 781 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.3V 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 1 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 16.25 nF 30 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227
温度: -55°C # 150°C(TJ)