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	VBT10200C-E3/4W Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥4.04309 +200：￥1.573527 +500：￥1.518891 +1000：￥1.486109	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管配置： 1 对共阴极二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VBT10200C-E3/4W Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 下载数据手册二极管阵列整流器	+10：￥10.428974 +100：￥8.140957 +500：￥6.725641 +1000：￥5.61881 +5000：￥4.583031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管配置： 1 对共阴极二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）温度：

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	VBT10200C-E3/4W Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 下载数据手册二极管阵列整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管配置： 1 对共阴极二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VBT10200C-E3/4W Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 下载数据手册二极管阵列整流器	+1：￥14.859091 +50：￥11.984429 +100：￥9.496961 +500：￥8.0502 +1000：￥6.557575	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管配置： 1 对共阴极二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）温度：

Mouser

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	VBT10200C-E3/4W Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO263 下载数据手册未分类	+1：￥16.986174 +10：￥13.703271 +100：￥10.861352 +500：￥9.211735 +1000：￥7.480451	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：管件封装/外壳： * 系列： TMBS® 零件状态：在售二极管配置： 1 对共阴极二极管类型：肖特基电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 5A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.6 V 5 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： - 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 150 µA 200 V 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 安装类型：表面贴装型封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）温度：

VBT10200C-E3/4W参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:	TMBS®
零件状态:	在售
二极管配置:	1 对共阴极
二极管类型:	肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）:	5A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.6 V 5 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	150 µA 200 V
工作温度 - 结:	-40°C # 150°C
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装:	TO-263AB（D²PAK）
温度: