品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 7.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 570 mV 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 400pF 5V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 7.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 570 mV 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 400pF 5V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Technology： Schottky

Capacitance @ Vr, F： 400pF @ 5V, 1MHz

Current - Average Rectified (Io)： 7.5A

Supplier Device Package： TO-263AB (D²PAK)

Operating Temperature - Junction： -65°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 45 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 570 mV @ 7.5 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 100 µA @ 45 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 45 V

电流 - 平均整流 (Io)： 7.5A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 570 mV 7.5 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 45 V

不同 Vr、F 时电容： 400pF 5V，1MHz

安装类型： 表面贴装型

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

供应商器件封装： TO-263AB（D²PAK）

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

温度：