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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-GB75NA60UF_晶体管IGBT
VS-GB75NA60UF
授权代理品牌

IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227

晶体管IGBT

+1:

¥584.696363

+160:

¥233.297215

+480:

¥225.506071

+960:

¥221.648745

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 109 A

功率 - 最大值: 447 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,35A

电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): -

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-GB75NA60UF_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 600V 109A 447W SOT227

晶体管IGBT

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¥379.776024

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 109 A

功率 - 最大值: 447 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,35A

电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): -

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -40°C # 150°C(TJ)

VS-GB75NA60UF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 109 A
功率 - 最大值: 447 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2V 15V,35A
电流 - 集电极截止(最大值): 50 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): -
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227
温度: -40°C # 150°C(TJ)