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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-ENQ030L120S_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B

晶体管IGBT

+1:

¥1457.269433

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 三级反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 61 A

功率 - 最大值: 216 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.52V 15V,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 230 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.34 nF 30 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: EMIPAK-1B

供应商器件封装: EMIPAK-1B

温度: 150°C(TJ)

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-ENQ030L120S_二极管与整流器
VS-ENQ030L120S
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B

二极管与整流器

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 三级反相器

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 61 A

功率 - 最大值: 216 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.52V 15V,30A

电流 - 集电极截止(最大值): 230 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.34 nF 30 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: EMIPAK-1B

供应商器件封装: EMIPAK-1B

温度: 150°C(TJ)

VS-ENQ030L120S参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟道
配置: 三级反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 61 A
功率 - 最大值: 216 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.52V 15V,30A
电流 - 集电极截止(最大值): 230 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 3.34 nF 30 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: EMIPAK-1B
供应商器件封装: EMIPAK-1B
温度: 150°C(TJ)