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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-ETF150Y65N_晶体管IGBT
VS-ETF150Y65N
授权代理品牌

IGBT MOD 650V 201A 600W

晶体管IGBT

+1:

¥1321.664234

+180:

¥527.360977

+480:

¥509.735291

+1020:

¥501.026257

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装:

封装/外壳: *

系列: FRED Pt®

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

配置: 半桥逆变器

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 201 A

功率 - 最大值: 600 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.17V 15V,150A

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Vce 时输入电容 (Cies): -

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: -

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: 175°C(TJ)

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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-ETF150Y65N_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 650V 201A 600W

晶体管IGBT

+1:

¥847.128984

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装:

封装/外壳: *

系列: FRED Pt®

零件状态: 停产

IGBT 类型: NPT

配置: 半桥逆变器

电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 201 A

功率 - 最大值: 600 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.17V 15V,150A

电流 - 集电极截止(最大值): -

不同 Vce 时输入电容 (Cies): -

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: 175°C(TJ)

安装类型: -

封装/外壳: 模块

供应商器件封装: 模块

温度: 175°C(TJ)

VS-ETF150Y65N参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:
封装/外壳: *
系列: FRED Pt®
零件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
配置: 半桥逆变器
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 201 A
功率 - 最大值: 600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.17V 15V,150A
电流 - 集电极截止(最大值): -
不同 Vce 时输入电容 (Cies): -
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: 175°C(TJ)
安装类型: -
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: 模块
温度: 175°C(TJ)