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自营 现货库存
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VS-GT100DA120UF_晶体管IGBT
VS-GT100DA120UF
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

晶体管IGBT

+1:

¥607.479721

+200:

¥242.388703

+500:

¥234.291596

+1000:

¥230.292215

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: HEXFRED®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 187 A

功率 - 最大值: 890 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.55V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.15 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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VS-GT100DA120UF_晶体管IGBT
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

晶体管IGBT

+1:

¥581.504828

+10:

¥518.096514

+100:

¥454.761066

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: HEXFRED®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 187 A

功率 - 最大值: 890 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.55V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.15 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -40°C # 150°C(TJ)

Mouser
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VS-GT100DA120UF_未分类
VS-GT100DA120UF
授权代理品牌

IGBT MOD 1200V 187A 890W SOT227

未分类

+1:

¥595.182522

+10:

¥555.294227

+100:

¥517.591594

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列: HEXFRED®

零件状态: 在售

IGBT 类型: 沟道

配置: 单路

电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 187 A

功率 - 最大值: 890 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.55V 15V,100A

电流 - 集电极截止(最大值): 100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.15 nF 25 V

输入: 标准

NTC 热敏电阻:

工作温度: -40°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

供应商器件封装: SOT-227

温度: -40°C # 150°C(TJ)

艾睿
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VS-GT100DA120UF_未分类
VS-GT100DA120UF
授权代理品牌

Trans IGBT Module N-CH 1200V 187A 890mW 4-Pin SOT-227

未分类

+160:

¥390.48651

+500:

¥388.225006

+1000:

¥385.837862

+2000:

¥383.450717

+2500:

¥381.063574

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

VS-GT100DA120UF参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 散装
封装/外壳: *
系列: HEXFRED®
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟道
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 187 A
功率 - 最大值: 890 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.55V 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 6.15 nF 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: SOT-227
温度: -40°C # 150°C(TJ)