VMO650-01F厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VMO650-01F Zilog(美国力特) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+1：￥4151.258946 +200：￥1656.388368 +500：￥1601.030819 +1000：￥1573.679862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VMO650-01F IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2774.60877 +10：￥2765.043248	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 690A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 130mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： Y3-DCB 封装/外壳： Y3-DCB 温度： -40°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VMO650-01F IXYS(艾赛斯.力特) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 100V 690A Y3-DCB 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： IXYS 包装：散装封装/外壳： * 系列： HiPerFET™ 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 690A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 毫欧 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 6V 130mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2300 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 59000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2500W（Tc）工作温度： -40°C # 150°C（TJ）安装类型：底座安装供应商器件封装： Y3-DCB 封装/外壳： Y3-DCB 温度： -40°C # 150°C（TJ）

VMO650-01F参数规格

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