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VQ3001P-E3_射频晶体管
授权代理品牌

MOSFET 2N/2P-CH 30V 14DIP

射频晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay Siliconix

包装: 管件

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道

FET 功能: 标准

漏源电压(Vdss): 30V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 850mA,600mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 1A,12V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 15V

功率 - 最大值: 2W

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

温度: -55°C # 150°C(TJ)

VQ3001P-E3参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: 2 个 N 通道和 2 个 P 通道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 850mA,600mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1 欧姆 1A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 110pF 15V
功率 - 最大值: 2W
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -
温度: -55°C # 150°C(TJ)