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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥88.814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 85A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 85 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 190 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	+1：￥58.734076 +100：￥58.734076	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 85A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 85 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 190 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 85A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 85 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 190 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 85A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 85 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 190 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：
	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE STD 1200V 85A POWIRTAB 下载数据手册未分类	+1：￥176.087293 +25：￥114.482748 +100：￥100.970993	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	Packaging： Bulk Package / Case： PowerTab™, PowIRtab™ Mounting Type： Chassis Mount Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr)： 190 ns Technology： Standard Capacitance @ Vr, F： - Current - Average Rectified (Io)： 85A Supplier Device Package： PowIRtab™ Operating Temperature - Junction： -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 1.3 V @ 85 A Current - Reverse Leakage @ Vr： 100 µA @ 1200 V

Mouser

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	VS-85EPF12 Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GP 1.2KV 85A POWIRTAB 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：停产二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 1200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 85A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.3 V 85 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 190 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 1200 V 不同 Vr、F 时电容： - 安装类型：底座安装封装/外壳： PowerTab™，PowIRtab™ 供应商器件封装： PowIRtab™ 工作温度 - 结： -40°C # 150°C 温度：

VS-85EPF12参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	1200 V
电流 - 平均整流 (Io):	85A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.3 V 85 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	190 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	100 µA 1200 V
不同 Vr、F 时电容:	-
安装类型:	底座安装
封装/外壳:	PowerTab™，PowIRtab™
供应商器件封装:	PowIRtab™
工作温度 - 结:	-40°C # 150°C
温度: