品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 20 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 100 V

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 20 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 100 V

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度：

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 20 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 100 V

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度：

Packaging： Tube

Package / Case： TO-220-3

Mounting Type： Through Hole

Diode Type： Schottky

Speed： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Diode Configuration： 1 Pair Common Cathode

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)： 10A

Supplier Device Package： TO-220-3

Operating Temperature - Junction： -65°C # 150°C

Part Status： Active

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)： 100 V

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If： 950 mV @ 20 A

Current - Reverse Leakage @ Vr： 100 µA @ 100 V

品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

二极管配置： 1 对共阴极

二极管类型： 肖特基

电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V

电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）： 10A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 950 mV 20 A

速度： 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）

反向恢复时间 (trr)： -

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 100 µA 100 V

工作温度 - 结： -65°C # 150°C

安装类型： 通孔

封装/外壳： TO-220-3

供应商器件封装： TO-220-3

温度：