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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
VS-FB180SA10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
VS-FB180SA10P
授权代理品牌

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 180A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 380 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

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VS-FB180SA10P_晶体管-FET,MOSFET-单个
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 散装

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 停产

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 180A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 380 nC 10 V

Vgs(最大值): ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10700 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 480W(Tc)

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 底座安装

供应商器件封装: SOT-227

封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC

温度: -55°C # 150°C(TJ)

VS-FB180SA10P参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 散装
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 180A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 380 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 10700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 480W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -55°C # 150°C(TJ)