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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 下载数据手册	+1：￥8.359362 +10：￥7.12458 +30：￥6.447089 +100：￥5.68218 +500：￥5.343435	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.5289	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.61509 +25：￥3.893982 +100：￥3.533429	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.97486 +25：￥6.728788 +100：￥6.105752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3 下载数据手册晶体管	+1：￥10.139428 +25：￥8.555141 +100：￥7.762999	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：袋封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 欧姆 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-92-3 封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag 下载数据手册未分类	+21：￥6.934842 +25：￥6.07668 +100：￥5.486953 +500：￥4.514739	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	VP2106N3-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 60V 0.25A 3-Pin TO-92 Bag 下载数据手册未分类	+150：￥7.372964 +3000：￥6.692831 +5000：￥6.285308	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, -0.25A, TO-92 下载数据手册未分类	+1：￥5.876423 +25：￥5.19167 +100：￥4.50692 +1000：￥4.407319	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	MOSFET, P-CH, -60V, -0.25A, TO-92 下载数据手册未分类	+1：￥6.22927 +25：￥5.245094 +100：￥4.770372	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	VP2106N3-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+50：￥4.358249 +500：￥3.976844 +1000：￥3.918704 +3000：￥3.810561 +5000：￥3.65707	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

VP2106N3-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	袋
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 欧姆 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-92-3
封装/外壳:	TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）